快链头条 消息，6 月 23 日，市场研究机构 SigmaIntell 22 日表示，由于内存供需失衡，今年第二季度消费类存储产品价格普遍上涨。其中，低功耗 DRAM 产品涨幅尤为明显，LPDDR4X 4GB 价格环比上涨 75%，LPDDR5X 12GB 价格环比上涨 89%。

这轮涨价的背景，是 LPDDR 内存开始被用于下一代服务器 GPU 平台。随着英伟达 Vera Rubin 等 AI 计算平台采用相关低功耗内存，供应竞争进一步加剧，存储厂商也将涨价范围扩大至智能手机和 PC 所使用的消费级内存。SigmaIntell 称，部分客户已经接受涨价，相关变化已反映到市场价格中。

供给端的压力来自产能重新分配。SigmaIntell 表示，第二季度存储厂商优先保障 HBM、服务器 DRAM 和企业级 SSD 等高附加值产品，导致消费级内存供应趋紧。由于成本压力上升，部分智能手机和 PC 品牌正在调整内存订单。

这也意味着，DRAM 价格在下半年的上涨速度可能有所放缓。相比中高端产品，低端终端所使用的内存需求预计将更明显降温。

当前，半导体晶圆资源正持续向高带宽内存 HBM 集中，消费级 DRAM 产能相对被压缩。HBM 通过年度客户合约维持较稳定价格，但供需失衡仍然严重。通用服务器 DRAM 也出现行业性涨价趋势，云厂商持续补充 DRAM 库存，渠道库存维持在约两到三周的低位。

消费电子市场因此承压。高附加值内存产品扩产、额外产能建设受限以及低库存水平叠加，使消费级 DRAM 短缺局面延续。

NAND 市场同样延续上涨。SigmaIntell 称，今年第二季度 SSD 价格环比上涨约 50%。企业级 NAND 产品需求依然强劲，价格波动并未削弱采购意愿。AI 集群和 AI agent 服务器扩容，正在推动对高性能、大容量存储设备的需求。

涨价压力也向移动和 PC NAND 扩散。UFS 价格最高上涨 100%，原因是企业级 SSD 需求扩张挤占供应，同时低容量 eMMC 等低端 NAND 供应减少，使消费级 NAND 供需也趋于紧张。

整体来看，AI 基础设施扩张正在改变存储产业的价格传导路径。过去主要集中在 HBM 和服务器 DRAM 的紧缺，正通过产能分配和晶圆资源挤压，传导至手机、PC 和消费级存储市场。对于终端品牌而言，内存和闪存成本上行可能成为下半年利润率和产品定价的重要变量。